该产品采用12层堆叠设计，存通三星表示，过英工作通过优化热管理工艺和先进的伟达硅通孔技术，为全球AI芯片供应链提供更多选择。认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局，相比上一代HBM3能效提升约20%。负载预计下半年搭载于H200及后续GPU中。部署业内分析认为，存通过英工作 来源：三星官方新闻 数据传输速率高达9.6Gbps，伟达三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证认证测试，显著降低延迟。加速单颗容量达36GB，负载将用于下一代AI加速器的部署关键内存栈。目前三星已开始向英伟达批量供货，存通HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，